Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Дискретный модуль APTM100UM65SAG Microchip / Microsemi

Дискретный модуль APTM100UM65SAG Microchip / Microsemi

Дискретный модуль APTM100UM65SAG Microchip / Microsemi
Дискретный модуль APTM100UM65SAG Microchip / Microsemi
Артикул: APTM100UM65SAG
Производитель: Microchip / Microsemi
Описание: Дискретный модуль APTM100UM65SAG Microchip / Microsemi
Datasheet:
Характеристики
Brand Microchip / Microsemi
Configuration Single
Fall Time 55 ns
Id - Continuous Drain Current 145 A
Manufacturer Microchip
Maximum Operating Temperature + 100 C
Minimum Operating Temperature - 40 C
Mounting Style Screw Mount
Package/Case SP6
Pd - Power Dissipation 3250 W
Product Power MOSFET Modules
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 78 mOhms
Rise Time 14 ns
RoHS Details
Transistor Polarity N-Channel
Type Series & Parallel Diode
Typical Turn-Off Delay Time 140 ns
Typical Turn-On Delay Time 18 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1000 V
Vf - Forward Voltage 2.2 V at 480 A
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
Vr - Reverse Voltage 1000 V
Описание
Дискретный модуль APTM100UM65SAG Microchip / Microsemi В каталоге Components.by представлен электронный компонент APTM100UM65SAG Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом APTM100UM65SAG , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Brand Microchip / Microsemi
Configuration Single
Fall Time 55 ns
Id - Continuous Drain Current 145 A
Manufacturer Microchip
Maximum Operating Temperature + 100 C
Minimum Operating Temperature - 40 C
Mounting Style Screw Mount
Package/Case SP6
Pd - Power Dissipation 3250 W
Product Power MOSFET Modules
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 78 mOhms
Rise Time 14 ns
RoHS Details
Transistor Polarity N-Channel
Type Series & Parallel Diode
Typical Turn-Off Delay Time 140 ns
Typical Turn-On Delay Time 18 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1000 V
Vf - Forward Voltage 2.2 V at 480 A
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
Vr - Reverse Voltage 1000 V
Описание
Дискретный модуль APTM100UM65SAG Microchip / Microsemi В каталоге Components.by представлен электронный компонент APTM100UM65SAG Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом APTM100UM65SAG , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet