Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Дискретный модуль APTM10HM19FT3G Microchip / Microsemi

Дискретный модуль APTM10HM19FT3G Microchip / Microsemi

Дискретный модуль APTM10HM19FT3G Microchip / Microsemi
Дискретный модуль APTM10HM19FT3G Microchip / Microsemi
Артикул: APTM10HM19FT3G
Производитель: Microchip / Microsemi
Описание: Дискретный модуль APTM10HM19FT3G Microchip / Microsemi
Datasheet:
Характеристики
Brand Microchip / Microsemi
Configuration Single
Fall Time 125 ns
Id - Continuous Drain Current 70 A
Manufacturer Microchip
Maximum Operating Temperature + 150 C
Minimum Operating Temperature - 40 C
Mounting Style Screw Mount
Package/Case SP-32
Pd - Power Dissipation 208 W
Product Power MOSFET Modules
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 19 mOhms
Rise Time 70 ns
RoHS Details
Transistor Polarity N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 95 ns
Typical Turn-On Delay Time 35 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V
Описание
Дискретный модуль APTM10HM19FT3G Microchip / Microsemi В каталоге Components.by представлен электронный компонент APTM10HM19FT3G Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом APTM10HM19FT3G , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Brand Microchip / Microsemi
Configuration Single
Fall Time 125 ns
Id - Continuous Drain Current 70 A
Manufacturer Microchip
Maximum Operating Temperature + 150 C
Minimum Operating Temperature - 40 C
Mounting Style Screw Mount
Package/Case SP-32
Pd - Power Dissipation 208 W
Product Power MOSFET Modules
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 19 mOhms
Rise Time 70 ns
RoHS Details
Transistor Polarity N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 95 ns
Typical Turn-On Delay Time 35 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V
Описание
Дискретный модуль APTM10HM19FT3G Microchip / Microsemi В каталоге Components.by представлен электронный компонент APTM10HM19FT3G Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом APTM10HM19FT3G , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet