История:
LM360M/NOPB
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Дискретные полупроводниковые приборы
Дискретные модули и модули питания
Диодные модули
Дискретный модуль APTMC120HR11CT3AG Microchip / Microsemi
Дискретный модуль APTMC120HR11CT3AG Microchip / Microsemi
Дискретный модуль APTMC120HR11CT3AG Microchip / Microsemi
Артикул:
APTMC120HR11CT3AG
Производитель:
Microchip / Microsemi
Описание:
Дискретный модуль APTMC120HR11CT3AG Microchip / Microsemi
Характеристики
Brand
Microchip / Microsemi
Configuration
Quad
Fall Time
18 ns, 40 ns
Id - Continuous Drain Current
26 A, 37 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw Mount
Package/Case
SP3F-32
Pd - Power Dissipation
125 W
Product
Power MOSFET Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
80 mOhms
Rise Time
14 ns, 45 ns
Type
Phase Leg
Typical Turn-Off Delay Time
23 ns, 200 ns
Typical Turn-On Delay Time
12 ns, 110 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1200 V
Vf - Forward Voltage
1.5 V, 1.6 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 10 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.4 V, 5 V
Описание
Дискретный модуль APTMC120HR11CT3AG Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент APTMC120HR11CT3AG Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом APTMC120HR11CT3AG , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
В наличии
Характеристики
Brand
Microchip / Microsemi
Configuration
Quad
Fall Time
18 ns, 40 ns
Id - Continuous Drain Current
26 A, 37 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw Mount
Package/Case
SP3F-32
Pd - Power Dissipation
125 W
Product
Power MOSFET Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
80 mOhms
Rise Time
14 ns, 45 ns
Type
Phase Leg
Typical Turn-Off Delay Time
23 ns, 200 ns
Typical Turn-On Delay Time
12 ns, 110 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1200 V
Vf - Forward Voltage
1.5 V, 1.6 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 10 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.4 V, 5 V
Описание
Дискретный модуль APTMC120HR11CT3AG Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент APTMC120HR11CT3AG Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом APTMC120HR11CT3AG , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.