Главная Каталог Полупроводниковые приборы Дискретные полупроводниковые приборы Дискретные модули и модули питания Диодные модули Дискретный модуль BSM180D12P3C007 ROHM Semiconductor

Дискретный модуль BSM180D12P3C007 ROHM Semiconductor

Артикул:

BSM180D12P3C007

Производитель: ROHM Semiconductor

Описание: Дискретный модуль BSM180D12P3C007 ROHM Semiconductor

Datasheet:

Характеристики

Brand ROHM Semiconductor

Configuration Half-Bridge

Fall Time 50 ns

Id - Continuous Drain Current 180 A

Manufacturer ROHM Semiconductor

Maximum Operating Temperature + 150 C

Minimum Operating Temperature - 40 C

Mounting Style Screw Mount

Package/Case Module

Pd - Power Dissipation 880 W

Product Power Semiconductor Modules

Product Category Discrete Semiconductor Modules

Rise Time 70 ns

RoHS Details

Series BSMx

Technology SiC

Transistor Polarity N-Channel

Type SiC Power MOSFET

Typical Turn-Off Delay Time 165 ns

Typical Turn-On Delay Time 50 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1200 V

Vgs - Gate-Source Voltage - 4 V, 22 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.7 V

Описание