Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Дискретный модуль BSM300C12P3E201 ROHM Semiconductor

Дискретный модуль BSM300C12P3E201 ROHM Semiconductor

Дискретный модуль BSM300C12P3E201 ROHM Semiconductor
Дискретный модуль BSM300C12P3E201 ROHM Semiconductor
Артикул: BSM300C12P3E201
Производитель: ROHM Semiconductor
Описание: Дискретный модуль BSM300C12P3E201 ROHM Semiconductor
Datasheet:
Характеристики
Brand ROHM Semiconductor
Fall Time 40 ns
Id - Continuous Drain Current 300 A
Manufacturer ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature + 150 C
Minimum Operating Temperature - 40 C
Mounting Style Screw Mount
Package/Case Module
Pd - Power Dissipation 1360 W
Product Power MOSFET Modules
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rise Time 35 ns
Transistor Polarity N-Channel
Type SiC Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 155 ns
Typical Turn-On Delay Time 40 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1200 V
Vf - Forward Voltage 1.6 V
Vgs - Gate-Source Voltage 18 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 5.6 V
Vr - Reverse Voltage 1200 V
Описание
Дискретный модуль BSM300C12P3E201 ROHM Semiconductor В каталоге Components.by представлен электронный компонент BSM300C12P3E201 ROHM Semiconductor . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BSM300C12P3E201 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
Характеристики
Brand ROHM Semiconductor
Fall Time 40 ns
Id - Continuous Drain Current 300 A
Manufacturer ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature + 150 C
Minimum Operating Temperature - 40 C
Mounting Style Screw Mount
Package/Case Module
Pd - Power Dissipation 1360 W
Product Power MOSFET Modules
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rise Time 35 ns
Transistor Polarity N-Channel
Type SiC Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 155 ns
Typical Turn-On Delay Time 40 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1200 V
Vf - Forward Voltage 1.6 V
Vgs - Gate-Source Voltage 18 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 5.6 V
Vr - Reverse Voltage 1200 V
Описание
Дискретный модуль BSM300C12P3E201 ROHM Semiconductor В каталоге Components.by представлен электронный компонент BSM300C12P3E201 ROHM Semiconductor . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BSM300C12P3E201 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet