Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Дискретные полупроводниковые приборы
Дискретные модули и модули питания
Диодные модули
Дискретный модуль BSM300C12P3E301 ROHM Semiconductor
Дискретный модуль BSM300C12P3E301 ROHM Semiconductor
Дискретный модуль BSM300C12P3E301 ROHM Semiconductor
Артикул:
BSM300C12P3E301
Производитель:
ROHM Semiconductor
Описание:
Дискретный модуль BSM300C12P3E301 ROHM Semiconductor
Характеристики
Brand
ROHM Semiconductor
Configuration
Single
Fall Time
30 ns
Id - Continuous Drain Current
300 A
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw Mount
Pd - Power Dissipation
1360 W
Product
Power MOSFET Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rise Time
35 ns
RoHS
Details
Technology
SiC
Transistor Polarity
N-Channel
Type
SiC Power Module
Typical Turn-Off Delay Time
170 ns
Typical Turn-On Delay Time
40 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1200 V
Vf - Forward Voltage
1.6 V
Vgs - Gate-Source Voltage
22 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.7 V
Vr - Reverse Voltage
1200 V
Описание
Дискретный модуль BSM300C12P3E301 ROHM Semiconductor
В каталоге Components.by представлен электронный компонент BSM300C12P3E301 ROHM Semiconductor . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BSM300C12P3E301 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
Характеристики
Brand
ROHM Semiconductor
Configuration
Single
Fall Time
30 ns
Id - Continuous Drain Current
300 A
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw Mount
Pd - Power Dissipation
1360 W
Product
Power MOSFET Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rise Time
35 ns
RoHS
Details
Technology
SiC
Transistor Polarity
N-Channel
Type
SiC Power Module
Typical Turn-Off Delay Time
170 ns
Typical Turn-On Delay Time
40 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1200 V
Vf - Forward Voltage
1.6 V
Vgs - Gate-Source Voltage
22 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.7 V
Vr - Reverse Voltage
1200 V
Описание
Дискретный модуль BSM300C12P3E301 ROHM Semiconductor
В каталоге Components.by представлен электронный компонент BSM300C12P3E301 ROHM Semiconductor . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BSM300C12P3E301 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet