Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Дискретные полупроводниковые приборы
Дискретные модули и модули питания
Диодные модули
Дискретный модуль BSM600C12P3G201 ROHM Semiconductor
Дискретный модуль BSM600C12P3G201 ROHM Semiconductor
Дискретный модуль BSM600C12P3G201 ROHM Semiconductor
Артикул:
BSM600C12P3G201
Производитель:
ROHM Semiconductor
Описание:
Дискретный модуль BSM600C12P3G201 ROHM Semiconductor
Характеристики
Brand
ROHM Semiconductor
Configuration
Chopper
Fall Time
65 ns
Id - Continuous Drain Current
576 A
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw Mount
Package/Case
Module
Pd - Power Dissipation
2460 W
Product
Power Semiconductor Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rise Time
50 ns
RoHS
Details
Series
BSMx
Technology
SiC
Transistor Polarity
N-Channel
Type
SiC Power Module
Typical Turn-Off Delay Time
240 ns
Typical Turn-On Delay Time
70 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1200 V
Vf - Forward Voltage
1.8 V at 600 A
Vgs - Gate-Source Voltage
- 4 V, 22 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.7 V
Описание
Дискретный модуль BSM600C12P3G201 ROHM Semiconductor
В каталоге Components.by представлен электронный компонент BSM600C12P3G201 ROHM Semiconductor . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BSM600C12P3G201 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Brand
ROHM Semiconductor
Configuration
Chopper
Fall Time
65 ns
Id - Continuous Drain Current
576 A
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw Mount
Package/Case
Module
Pd - Power Dissipation
2460 W
Product
Power Semiconductor Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rise Time
50 ns
RoHS
Details
Series
BSMx
Technology
SiC
Transistor Polarity
N-Channel
Type
SiC Power Module
Typical Turn-Off Delay Time
240 ns
Typical Turn-On Delay Time
70 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1200 V
Vf - Forward Voltage
1.8 V at 600 A
Vgs - Gate-Source Voltage
- 4 V, 22 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.7 V
Описание
Дискретный модуль BSM600C12P3G201 ROHM Semiconductor
В каталоге Components.by представлен электронный компонент BSM600C12P3G201 ROHM Semiconductor . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BSM600C12P3G201 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet