Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Дискретный модуль CNA30E2200FB IXYS

Дискретный модуль CNA30E2200FB IXYS

Дискретный модуль CNA30E2200FB IXYS
Дискретный модуль CNA30E2200FB IXYS
Артикул: CNA30E2200FB
Производитель: IXYS
Описание: Дискретный модуль CNA30E2200FB IXYS
Datasheet:
Характеристики
Brand IXYS
Configuration Single
Manufacturer IXYS
Maximum Operating Temperature + 70 C
Minimum Operating Temperature - 10 C
Mounting Style Through Hole
Package/Case ISOPLUS i4-Pac-3
Product Thyristor Power Modules
Product Category Discrete Semiconductor Modules
RoHS Details
Transistor Polarity N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 2200 V
Описание
Дискретный модуль CNA30E2200FB IXYS В каталоге Components.by представлен электронный компонент CNA30E2200FB IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом CNA30E2200FB , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Brand IXYS
Configuration Single
Manufacturer IXYS
Maximum Operating Temperature + 70 C
Minimum Operating Temperature - 10 C
Mounting Style Through Hole
Package/Case ISOPLUS i4-Pac-3
Product Thyristor Power Modules
Product Category Discrete Semiconductor Modules
RoHS Details
Transistor Polarity N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 2200 V
Описание
Дискретный модуль CNA30E2200FB IXYS В каталоге Components.by представлен электронный компонент CNA30E2200FB IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом CNA30E2200FB , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet