Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Дискретные полупроводниковые приборы
Дискретные модули и модули питания
Диодные модули
Дискретный модуль DF23MR12W1M1B11BPSA1 Infineon Technologies
Дискретный модуль DF23MR12W1M1B11BPSA1 Infineon Technologies
Дискретный модуль DF23MR12W1M1B11BPSA1 Infineon Technologies
Артикул:
DF23MR12W1M1B11BPSA1
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
Дискретный модуль DF23MR12W1M1B11BPSA1 Infineon Technologies
Характеристики
Brand
Infineon Technologies
Configuration
Dual
Fall Time
12.8 ns
Id - Continuous Drain Current
25 A
Manufacturer
Infineon
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw Mount
Package/Case
AG-EASY1BM-2
Product
Power MOSFET Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
66 mOhms
Rise Time
7.2 ns
RoHS
Details
Series
Discrete IGBT7
Transistor Polarity
N-Channel
Type
SiC Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
38.5 ns
Typical Turn-On Delay Time
11.3 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1200 V
Vf - Forward Voltage
4.6 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 10 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
3.45 V
Vr - Reverse Voltage
1200 V
Описание
Дискретный модуль DF23MR12W1M1B11BPSA1 Infineon Technologies
В каталоге Components.by представлен электронный компонент DF23MR12W1M1B11BPSA1 Infineon Technologies . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом DF23MR12W1M1B11BPSA1 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
Характеристики
Brand
Infineon Technologies
Configuration
Dual
Fall Time
12.8 ns
Id - Continuous Drain Current
25 A
Manufacturer
Infineon
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw Mount
Package/Case
AG-EASY1BM-2
Product
Power MOSFET Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
66 mOhms
Rise Time
7.2 ns
RoHS
Details
Series
Discrete IGBT7
Transistor Polarity
N-Channel
Type
SiC Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
38.5 ns
Typical Turn-On Delay Time
11.3 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1200 V
Vf - Forward Voltage
4.6 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 10 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
3.45 V
Vr - Reverse Voltage
1200 V
Описание
Дискретный модуль DF23MR12W1M1B11BPSA1 Infineon Technologies
В каталоге Components.by представлен электронный компонент DF23MR12W1M1B11BPSA1 Infineon Technologies . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом DF23MR12W1M1B11BPSA1 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet