Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Дискретные полупроводниковые приборы
Дискретные модули и модули питания
Диодные модули
Дискретный модуль DFE25I600HA IXYS
Дискретный модуль DFE25I600HA IXYS
Дискретный модуль DFE25I600HA IXYS
Характеристики
Brand
IXYS
Configuration
Single
Manufacturer
IXYS
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-247-2
Pd - Power Dissipation
105 W
Product
Diode Power Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
RoHS
Details
Transistor Polarity
N-Channel
Type
Fred
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Vf - Forward Voltage
1.03 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
0.78 V
Описание
Дискретный модуль DFE25I600HA IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент DFE25I600HA IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом DFE25I600HA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
Характеристики
Brand
IXYS
Configuration
Single
Manufacturer
IXYS
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-247-2
Pd - Power Dissipation
105 W
Product
Diode Power Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
RoHS
Details
Transistor Polarity
N-Channel
Type
Fred
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Vf - Forward Voltage
1.03 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
0.78 V
Описание
Дискретный модуль DFE25I600HA IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент DFE25I600HA IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом DFE25I600HA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet