Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Дискретные полупроводниковые приборы
Дискретные модули и модули питания
Диодные модули
Дискретный модуль DSEP29-12B IXYS
Дискретный модуль DSEP29-12B IXYS
Дискретный модуль DSEP29-12B IXYS
Характеристики
Brand
IXYS
Configuration
Single
Manufacturer
IXYS
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-220-2
Pd - Power Dissipation
165 W
Product
Diode Power Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
RoHS
Details
Transistor Polarity
N-Channel
Type
Fast Recovery
Vf - Forward Voltage
4.66 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1.26 V
Vr - Reverse Voltage
1200 V
Описание
Дискретный модуль DSEP29-12B IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент DSEP29-12B IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом DSEP29-12B , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
Характеристики
Brand
IXYS
Configuration
Single
Manufacturer
IXYS
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-220-2
Pd - Power Dissipation
165 W
Product
Diode Power Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
RoHS
Details
Transistor Polarity
N-Channel
Type
Fast Recovery
Vf - Forward Voltage
4.66 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1.26 V
Vr - Reverse Voltage
1200 V
Описание
Дискретный модуль DSEP29-12B IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент DSEP29-12B IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом DSEP29-12B , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet