Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Дискретные полупроводниковые приборы
Дискретные модули и модули питания
Диодные модули
Дискретный модуль F3L11MR12W2M1B74BOMA1 Infineon Technologies
Дискретный модуль F3L11MR12W2M1B74BOMA1 Infineon Technologies
Дискретный модуль F3L11MR12W2M1B74BOMA1 Infineon Technologies
Артикул:
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
Дискретный модуль F3L11MR12W2M1B74BOMA1 Infineon Technologies
Характеристики
Brand
Infineon Technologies
Configuration
3-Phase
Fall Time
18.5 ns
Id - Continuous Drain Current
100 A
Manufacturer
Infineon
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Press Fit
Package/Case
Module
Pd - Power Dissipation
20 mW (1/50 W)
Product
Power MOSFET Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
11.3 mOhms
Rise Time
23.4 ns
Transistor Polarity
N-Channel
Type
SiC Power Module
Typical Turn-Off Delay Time
82.9 ns
Typical Turn-On Delay Time
26.7 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1200 V
Vf - Forward Voltage
4.6 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 10 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
5.55 V
Описание
Дискретный модуль F3L11MR12W2M1B74BOMA1 Infineon Technologies
В каталоге Components.by представлен электронный компонент F3L11MR12W2M1B74BOMA1 Infineon Technologies . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом F3L11MR12W2M1B74BOMA1 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Brand
Infineon Technologies
Configuration
3-Phase
Fall Time
18.5 ns
Id - Continuous Drain Current
100 A
Manufacturer
Infineon
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Press Fit
Package/Case
Module
Pd - Power Dissipation
20 mW (1/50 W)
Product
Power MOSFET Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
11.3 mOhms
Rise Time
23.4 ns
Transistor Polarity
N-Channel
Type
SiC Power Module
Typical Turn-Off Delay Time
82.9 ns
Typical Turn-On Delay Time
26.7 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1200 V
Vf - Forward Voltage
4.6 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 10 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
5.55 V
Описание
Дискретный модуль F3L11MR12W2M1B74BOMA1 Infineon Technologies
В каталоге Components.by представлен электронный компонент F3L11MR12W2M1B74BOMA1 Infineon Technologies . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом F3L11MR12W2M1B74BOMA1 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.