Главная Каталог Полупроводниковые приборы Дискретные полупроводниковые приборы Дискретные модули и модули питания Диодные модули Дискретный модуль F3L15MR12W2M1B69BOMA1 Infineon Technologies

Дискретный модуль F3L15MR12W2M1B69BOMA1 Infineon Technologies

Артикул:

F3L15MR12W2M1B69BOMA1

Производитель: Infineon Technologies

Описание: Дискретный модуль F3L15MR12W2M1B69BOMA1 Infineon Technologies

Datasheet:

Характеристики

Brand Infineon Technologies

Configuration 3-Phase

Fall Time 18 ns

Id - Continuous Drain Current 75 A

Manufacturer Infineon

Maximum Operating Temperature + 150 C

Minimum Operating Temperature - 40 C

Mounting Style Screw Mount

Package/Case AG-EASY2BM-2

Product Power MOSFET Modules

Product Category Discrete Semiconductor Modules

Rds On - Drain-Source Resistance 15 mOhms

Rise Time 13 ns

RoHS Details

Series CoolSiC Module

Transistor Polarity N-Channel

Type CoolSiC MOSFET

Typical Turn-Off Delay Time 64 ns

Typical Turn-On Delay Time 24 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1200 V

Vf - Forward Voltage 4.6 V at 75 A

Vgs - Gate-Source Voltage - 10 V, 20 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3.45 V

Vr - Reverse Voltage 1200 V

Описание