Главная Каталог Полупроводниковые приборы Дискретные полупроводниковые приборы Дискретные модули и модули питания Диодные модули Дискретный модуль FF6MR12KM1BOSA1 Infineon Technologies

Дискретный модуль FF6MR12KM1BOSA1 Infineon Technologies

Артикул: FF6MR12KM1BOSA1

Производитель: Infineon Technologies

Описание: Дискретный модуль FF6MR12KM1BOSA1 Infineon Technologies

Datasheet:

Характеристики

Brand Infineon Technologies

Configuration Half-Bridge

Fall Time 43.9 ns

Id - Continuous Drain Current 250 A

Manufacturer Infineon

Maximum Operating Temperature + 150 C

Minimum Operating Temperature - 40 C

Mounting Style Screw Mount

Package/Case Module

Product Power MOSFET Modules

Product Category Discrete Semiconductor Modules

Rds On - Drain-Source Resistance 5.81 mOhms

Rise Time 33.7 ns

RoHS Details

Series CIPOS Mini IPM

Transistor Polarity N-Channel

Type SiC Power Module

Typical Turn-Off Delay Time 124 ns

Typical Turn-On Delay Time 69.1 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1200 V

Vf - Forward Voltage 4.8 V

Vgs - Gate-Source Voltage - 10 V, 20 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3.45 V

Описание