Главная Каталог Полупроводниковые приборы Дискретные полупроводниковые приборы Дискретные модули и модули питания Диодные модули Дискретный модуль FF6MR12W2M1B11BOMA1 Infineon Technologies

Дискретный модуль FF6MR12W2M1B11BOMA1 Infineon Technologies

Артикул:

FF6MR12W2M1B11BOMA1

Производитель: Infineon Technologies

Описание: Дискретный модуль FF6MR12W2M1B11BOMA1 Infineon Technologies

Datasheet:

Характеристики

Brand Infineon Technologies

Configuration Dual

Fall Time 30 ns

Id - Continuous Drain Current 200 A

Manufacturer Infineon

Maximum Operating Temperature + 150 C

Minimum Operating Temperature - 40 C

Mounting Style Screw Mount

Package/Case Module

Product Power MOSFET Modules

Product Category Discrete Semiconductor Modules

Rds On - Drain-Source Resistance 5.63 mOhms

Rise Time 18.7 ns

RoHS Details

Series CoolSiC Module

Transistor Polarity N-Channel

Type EasyDUAL Module

Typical Turn-Off Delay Time 62.6 ns

Typical Turn-On Delay Time 20.4 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1200 V

Vf - Forward Voltage 4.6 V

Vgs - Gate-Source Voltage - 10 V, 20 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3.45 V

Vr - Reverse Voltage 1200 V

Описание