Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Дискретный модуль GCMS040A120S1-E1 SemiQ

Дискретный модуль GCMS040A120S1-E1 SemiQ
Дискретный модуль GCMS040A120S1-E1 SemiQ
Артикул: GCMS040A120S1-E1
Производитель: SemiQ
Описание: Дискретный модуль GCMS040A120S1-E1 SemiQ
Datasheet:
Характеристики
Brand SemiQ
Fall Time 35 ns
Id - Continuous Drain Current 120 A
Manufacturer SemiQ
Maximum Operating Temperature + 150 C
Minimum Operating Temperature - 40 C
Mounting Style Screw Mount
Package/Case SOT-227-4
Pd - Power Dissipation 640 W
Product Power MOSFET Modules
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 40 mOhms
Rise Time 53 ns
RoHS Details
Technology SiC
Transistor Polarity N-Channel and SBD
Type SiC Power Module
Typical Turn-Off Delay Time 27 ns
Typical Turn-On Delay Time 15 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1200 V
Vf - Forward Voltage 1.54 V
Vgs - Gate-Source Voltage - 10 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V
Vr - Reverse Voltage 1200 V
Описание

Дискретный модуль GCMS040A120S1-E1 SemiQ

В каталоге Components.by представлен электронный компонент GCMS040A120S1-E1 SemiQ . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом GCMS040A120S1-E1 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Brand SemiQ
Fall Time 35 ns
Id - Continuous Drain Current 120 A
Manufacturer SemiQ
Maximum Operating Temperature + 150 C
Minimum Operating Temperature - 40 C
Mounting Style Screw Mount
Package/Case SOT-227-4
Pd - Power Dissipation 640 W
Product Power MOSFET Modules
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 40 mOhms
Rise Time 53 ns
RoHS Details
Technology SiC
Transistor Polarity N-Channel and SBD
Type SiC Power Module
Typical Turn-Off Delay Time 27 ns
Typical Turn-On Delay Time 15 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1200 V
Vf - Forward Voltage 1.54 V
Vgs - Gate-Source Voltage - 10 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V
Vr - Reverse Voltage 1200 V
Описание

Дискретный модуль GCMS040A120S1-E1 SemiQ

В каталоге Components.by представлен электронный компонент GCMS040A120S1-E1 SemiQ . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом GCMS040A120S1-E1 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet