Главная Каталог Полупроводниковые приборы Дискретные полупроводниковые приборы Дискретные модули и модули питания Диодные модули Дискретный модуль GCMS080A120S1-E1 SemiQ

Дискретный модуль GCMS080A120S1-E1 SemiQ

Артикул: GCMS080A120S1-E1

Производитель: SemiQ

Описание: Дискретный модуль GCMS080A120S1-E1 SemiQ

Datasheet:

Характеристики

Brand SemiQ

Fall Time 35 ns

Id - Continuous Drain Current 120 A

Manufacturer SemiQ

Maximum Operating Temperature + 150 C

Minimum Operating Temperature - 40 C

Mounting Style Screw Mount

Package/Case SOT-227-4

Pd - Power Dissipation 640 W

Product Power MOSFET Modules

Product Category Discrete Semiconductor Modules

Rds On - Drain-Source Resistance 80 mOhms

Rise Time 53 ns

RoHS Details

Technology SiC

Transistor Polarity N-Channel and SBD

Type SiC Power Module

Typical Turn-Off Delay Time 27 ns

Typical Turn-On Delay Time 15 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1200 V

Vf - Forward Voltage 1.54 V

Vgs - Gate-Source Voltage - 10 V, 25 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V

Vr - Reverse Voltage 1200 V

Описание