Главная Каталог Полупроводниковые приборы Дискретные полупроводниковые приборы Дискретные модули и модули питания Диодные модули Дискретный модуль IXFE39N90 IXYS

Дискретный модуль IXFE39N90 IXYS

Артикул: IXFE39N90

Производитель: IXYS

Описание: Дискретный модуль IXFE39N90 IXYS

Datasheet:

Характеристики

Brand IXYS

Configuration Single

Fall Time 30 ns

Id - Continuous Drain Current 34 A

Manufacturer IXYS

Maximum Operating Temperature + 150 C

Minimum Operating Temperature - 40 C

Mounting Style Chassis Mount

Package/Case ISOPLUS-227-4

Pd - Power Dissipation 580 W

Product Category Discrete Semiconductor Modules

Rds On - Drain-Source Resistance 220 mOhms

Rise Time 68 ns

RoHS Details

Series IXFE39N90

Technology Si

Transistor Polarity N-Channel

Typical Turn-Off Delay Time 125 ns

Typical Turn-On Delay Time 45 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 900 V

Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V

Описание