Главная Каталог Полупроводниковые приборы Дискретные полупроводниковые приборы Дискретные модули и модули питания Диодные модули Дискретный модуль IXFN100N65X2 IXYS

Дискретный модуль IXFN100N65X2 IXYS

Артикул: IXFN100N65X2

Производитель: IXYS

Описание: Дискретный модуль IXFN100N65X2 IXYS

Datasheet:

Характеристики

Brand IXYS

Configuration Single

Fall Time 13 ns

Id - Continuous Drain Current 78 A

Manufacturer IXYS

Maximum Operating Temperature + 150 C

Minimum Operating Temperature - 55 C

Mounting Style Chassis Mount

Package/Case SOT-227-4

Pd - Power Dissipation 595 W

Product Category Discrete Semiconductor Modules

Rds On - Drain-Source Resistance 30 mOhms

Rise Time 26 ns

RoHS Details

Series 650V Ultra Junction X2

Technology Si

Transistor Polarity N-Channel

Typical Turn-Off Delay Time 90 ns

Typical Turn-On Delay Time 37 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 650 V

Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3.5 V

Описание