Главная Каталог Полупроводниковые приборы Дискретные полупроводниковые приборы Дискретные модули и модули питания Диодные модули Дискретный модуль IXFN110N85X IXYS

Дискретный модуль IXFN110N85X IXYS

Артикул: IXFN110N85X

Производитель: IXYS

Описание: Дискретный модуль IXFN110N85X IXYS

Datasheet:

Характеристики

Brand IXYS

Configuration Single

Fall Time 11 ns

Id - Continuous Drain Current 110 A

Manufacturer IXYS

Maximum Operating Temperature + 150 C

Minimum Operating Temperature - 55 C

Mounting Style Chassis Mount

Package/Case SOT-227-4

Pd - Power Dissipation 1.17 kW

Product Category Discrete Semiconductor Modules

Rds On - Drain-Source Resistance 33 mOhms

Rise Time 25 ns

RoHS Details

Series HiPerFET

Technology Si

Transistor Polarity N-Channel

Typical Turn-Off Delay Time 144 ns

Typical Turn-On Delay Time 50 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 850 V

Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3.5 V

Описание