Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Дискретные полупроводниковые приборы
Дискретные модули и модули питания
Диодные модули
Дискретный модуль IXFN132N50P3 IXYS
Дискретный модуль IXFN132N50P3 IXYS
Дискретный модуль IXFN132N50P3 IXYS
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Brand
IXYS
Configuration
Single
Fall Time
8 ns
Id - Continuous Drain Current
112 A
Manufacturer
IXYS
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Chassis Mount
Package/Case
SOT-227-4
Pd - Power Dissipation
1.5 kW
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
39 mOhms
Rise Time
9 ns
RoHS
Details
Series
IXFN132N50
Technology
Si
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
500 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
5 V
Описание
Дискретный модуль IXFN132N50P3 IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXFN132N50P3 IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXFN132N50P3 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Brand
IXYS
Configuration
Single
Fall Time
8 ns
Id - Continuous Drain Current
112 A
Manufacturer
IXYS
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Chassis Mount
Package/Case
SOT-227-4
Pd - Power Dissipation
1.5 kW
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
39 mOhms
Rise Time
9 ns
RoHS
Details
Series
IXFN132N50
Technology
Si
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
500 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
5 V
Описание
Дискретный модуль IXFN132N50P3 IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXFN132N50P3 IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXFN132N50P3 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.