Главная Каталог Полупроводниковые приборы Дискретные полупроводниковые приборы Дискретные модули и модули питания Диодные модули Дискретный модуль IXFN170N25X3 IXYS

Дискретный модуль IXFN170N25X3 IXYS

Артикул:

IXFN170N25X3

Производитель: IXYS

Описание: Дискретный модуль IXFN170N25X3 IXYS

Datasheet:

Характеристики

Brand IXYS

Configuration Single

Fall Time 7 ns

Id - Continuous Drain Current 146 A

Manufacturer IXYS

Maximum Operating Temperature + 150 C

Minimum Operating Temperature - 55 C

Mounting Style Chassis Mount

Package/Case SOT-227-4

Pd - Power Dissipation 390 W

Product Category Discrete Semiconductor Modules

Rds On - Drain-Source Resistance 6.1 mOhms

Rise Time 10 ns

RoHS Details

Series X3-Class

Technology Si

Transistor Polarity N-Channel

Typical Turn-Off Delay Time 62 ns

Typical Turn-On Delay Time 18 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 250 V

Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.5 V

Описание