Главная Каталог Полупроводниковые приборы Дискретные полупроводниковые приборы Дискретные модули и модули питания Диодные модули Дискретный модуль IXFN170N30P IXYS

Дискретный модуль IXFN170N30P IXYS

Артикул: IXFN170N30P

Производитель: IXYS

Описание: Дискретный модуль IXFN170N30P IXYS

Datasheet:

Характеристики

Brand IXYS

Configuration Single

Fall Time 16 ns

Id - Continuous Drain Current 138 A

Manufacturer IXYS

Maximum Operating Temperature + 150 C

Minimum Operating Temperature - 55 C

Mounting Style Chassis Mount

Package/Case SOT-227-4

Pd - Power Dissipation 890 W

Product Category Discrete Semiconductor Modules

Rds On - Drain-Source Resistance 18 mOhms

Rise Time 29 ns

RoHS Details

Series IXFN170N30

Technology Si

Transistor Polarity N-Channel

Type Polar Power MOSFET HiPerFET

Typical Turn-Off Delay Time 79 ns

Typical Turn-On Delay Time 41 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 300 V

Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4.5 V

Описание