Главная Каталог Полупроводниковые приборы Дискретные полупроводниковые приборы Дискретные модули и модули питания Диодные модули Дискретный модуль IXFN200N10P IXYS

Дискретный модуль IXFN200N10P IXYS

Артикул: IXFN200N10P

Производитель: IXYS

Описание: Дискретный модуль IXFN200N10P IXYS

Datasheet:

Характеристики

Brand IXYS

Configuration Single

Fall Time 90 ns

Id - Continuous Drain Current 200 A

Manufacturer IXYS

Maximum Operating Temperature + 175 C

Minimum Operating Temperature - 55 C

Mounting Style Chassis Mount

Package/Case SOT-227-4

Pd - Power Dissipation 680 W

Product Category Discrete Semiconductor Modules

Rds On - Drain-Source Resistance 7.5 mOhms

Rise Time 35 ns

RoHS Details

Series IXFN200N10

Technology Si

Transistor Polarity N-Channel

Typical Turn-Off Delay Time 150 ns

Typical Turn-On Delay Time 30 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V

Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V

Описание