Главная Каталог Полупроводниковые приборы Дискретные полупроводниковые приборы Дискретные модули и модули питания Диодные модули Дискретный модуль IXFN25N90 IXYS

Дискретный модуль IXFN25N90 IXYS

Артикул: IXFN25N90

Производитель: IXYS

Описание: Дискретный модуль IXFN25N90 IXYS

Datasheet:

Характеристики

Brand IXYS

Configuration Single

Fall Time 24 ns

Id - Continuous Drain Current 25 A

Manufacturer IXYS

Maximum Operating Temperature + 150 C

Minimum Operating Temperature - 55 C

Mounting Style Chassis Mount

Package/Case SOT-227-4

Pd - Power Dissipation 600 W

Product Category Discrete Semiconductor Modules

Rds On - Drain-Source Resistance 330 mOhms

Rise Time 35 ns

RoHS Details

Series IXFN25N90

Technology Si

Transistor Polarity N-Channel

Typical Turn-Off Delay Time 130 ns

Typical Turn-On Delay Time 60 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 900 V

Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V

Описание