Главная Каталог Полупроводниковые приборы Дискретные полупроводниковые приборы Дискретные модули и модули питания Диодные модули Дискретный модуль IXFN320N17T2 IXYS

Дискретный модуль IXFN320N17T2 IXYS

Артикул:

IXFN320N17T2

Производитель: IXYS

Описание: Дискретный модуль IXFN320N17T2 IXYS

Datasheet:

Характеристики

Brand IXYS

Configuration Single

Fall Time 230 ns

Id - Continuous Drain Current 260 A

Manufacturer IXYS

Maximum Operating Temperature + 175 C

Minimum Operating Temperature - 55 C

Mounting Style Chassis Mount

Package/Case SOT-227-4

Pd - Power Dissipation 1.07 kW

Product Category Discrete Semiconductor Modules

Rds On - Drain-Source Resistance 5.2 mOhms

Rise Time 170 ns

RoHS Details

Series IXFN320N17

Technology Si

Transistor Polarity N-Channel

Type GigaMOS Trench T2 HiperFet

Typical Turn-Off Delay Time 115 ns

Typical Turn-On Delay Time 46 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 170 V

Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 5 V

Описание