Главная Каталог Полупроводниковые приборы Дискретные полупроводниковые приборы Дискретные модули и модули питания Диодные модули Дискретный модуль IXFN32N80P IXYS

Дискретный модуль IXFN32N80P IXYS

Артикул:

IXFN32N80P

Производитель: IXYS

Описание: Дискретный модуль IXFN32N80P IXYS

Datasheet:

Характеристики

Brand IXYS

Configuration Single

Fall Time 26 ns

Id - Continuous Drain Current 29 A

Manufacturer IXYS

Maximum Operating Temperature + 150 C

Minimum Operating Temperature - 55 C

Mounting Style Chassis Mount

Package/Case SOT-227-4

Pd - Power Dissipation 625 W

Product Category Discrete Semiconductor Modules

Rds On - Drain-Source Resistance 270 mOhms

Rise Time 29 ns

RoHS Details

Series IXFN32N80

Technology Si

Transistor Polarity N-Channel

Typical Turn-Off Delay Time 85 ns

Typical Turn-On Delay Time 30 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 800 V

Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V

Описание