Главная Каталог Полупроводниковые приборы Дискретные полупроводниковые приборы Дискретные модули и модули питания Диодные модули Дискретный модуль IXFN50N120SK IXYS

Дискретный модуль IXFN50N120SK IXYS

Артикул: IXFN50N120SK

Производитель: IXYS

Описание: Дискретный модуль IXFN50N120SK IXYS

Datasheet:

Характеристики

Brand IXYS

Configuration Single

Id - Continuous Drain Current 48 A

Manufacturer IXYS

Maximum Operating Temperature + 150 C

Minimum Operating Temperature - 40 C

Mounting Style Chassis Mount

Package/Case SOT-227-4

Pd - Power Dissipation -

Product Category Discrete Semiconductor Modules

Rds On - Drain-Source Resistance 40 mOhms

RoHS Details

Technology SiC

Transistor Polarity N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1.2 kV

Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.4 V

Описание