Главная Каталог Полупроводниковые приборы Дискретные полупроводниковые приборы Дискретные модули и модули питания Диодные модули Дискретный модуль IXFN73N30Q IXYS

Дискретный модуль IXFN73N30Q IXYS

Артикул: IXFN73N30Q

Производитель: IXYS

Описание: Дискретный модуль IXFN73N30Q IXYS

Datasheet:

Характеристики

Brand IXYS

Configuration Single

Fall Time 12 ns

Id - Continuous Drain Current 73 A

Manufacturer IXYS

Maximum Operating Temperature + 150 C

Minimum Operating Temperature - 55 C

Mounting Style Chassis Mount

Package/Case SOT-227-4

Pd - Power Dissipation 500 W

Product Category Discrete Semiconductor Modules

Rds On - Drain-Source Resistance 45 mOhms

Rise Time 36 ns

RoHS Details

Series HiPerFET

Technology Si

Transistor Polarity N-Channel

Typical Turn-Off Delay Time 82 ns

Typical Turn-On Delay Time 37 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 300 V

Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V

Описание