Главная Каталог Полупроводниковые приборы Дискретные полупроводниковые приборы Дискретные модули и модули питания Диодные модули Дискретный модуль IXFN82N60P IXYS

Дискретный модуль IXFN82N60P IXYS

Артикул:

IXFN82N60P

Производитель: IXYS

Описание: Дискретный модуль IXFN82N60P IXYS

Datasheet:

Характеристики

Brand IXYS

Configuration Single

Fall Time 24 ns

Id - Continuous Drain Current 72 A

Manufacturer IXYS

Maximum Operating Temperature + 150 C

Minimum Operating Temperature - 55 C

Mounting Style Chassis Mount

Package/Case SOT-227-4

Pd - Power Dissipation 1.04 kW

Product Category Discrete Semiconductor Modules

Rds On - Drain-Source Resistance 75 mOhms

Rise Time 23 ns

RoHS Details

Series IXFN82N60

Technology Si

Transistor Polarity N-Channel

Type Polar HiPerFET Power MOSFET

Typical Turn-Off Delay Time 79 ns

Typical Turn-On Delay Time 28 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 600 V

Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 5 V

Описание