Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Дискретные полупроводниковые приборы
Дискретные модули и модули питания
Диодные модули
Дискретный модуль IXFN82N60Q3 IXYS
Дискретный модуль IXFN82N60Q3 IXYS
Дискретный модуль IXFN82N60Q3 IXYS
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Brand
IXYS
Configuration
Single
Id - Continuous Drain Current
66 A
Manufacturer
IXYS
Mounting Style
Chassis Mount
Package/Case
SOT-227-4
Pd - Power Dissipation
960 W
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
75 mOhms
Rise Time
300 ns
RoHS
Details
Series
IXFN82N60
Technology
Si
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 30 V, + 30 V
Описание
Дискретный модуль IXFN82N60Q3 IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXFN82N60Q3 IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXFN82N60Q3 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Brand
IXYS
Configuration
Single
Id - Continuous Drain Current
66 A
Manufacturer
IXYS
Mounting Style
Chassis Mount
Package/Case
SOT-227-4
Pd - Power Dissipation
960 W
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
75 mOhms
Rise Time
300 ns
RoHS
Details
Series
IXFN82N60
Technology
Si
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 30 V, + 30 V
Описание
Дискретный модуль IXFN82N60Q3 IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXFN82N60Q3 IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXFN82N60Q3 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.