Главная Каталог Полупроводниковые приборы Дискретные полупроводниковые приборы Дискретные модули и модули питания Диодные модули Дискретный модуль IXFN90N30 IXYS

Дискретный модуль IXFN90N30 IXYS

Артикул: IXFN90N30

Производитель: IXYS

Описание: Дискретный модуль IXFN90N30 IXYS

Datasheet:

Характеристики

Brand IXYS

Configuration Single

Fall Time 40 ns

Id - Continuous Drain Current 90 A

Manufacturer IXYS

Maximum Operating Temperature + 150 C

Minimum Operating Temperature - 55 C

Mounting Style Chassis Mount

Package/Case SOT-227-4

Pd - Power Dissipation 560 W

Product Category Discrete Semiconductor Modules

Rds On - Drain-Source Resistance 33 mOhms

Rise Time 55 ns

RoHS Details

Series IXFN90N30

Technology Si

Transistor Polarity N-Channel

Type HiPerFET Power MOSFET

Typical Turn-Off Delay Time 100 ns

Typical Turn-On Delay Time 42 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 300 V

Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4 V

Описание