Главная Каталог Полупроводниковые приборы Дискретные полупроводниковые приборы Дискретные модули и модули питания Диодные модули Дискретный модуль IXFN90N85X IXYS

Дискретный модуль IXFN90N85X IXYS

Артикул: IXFN90N85X

Производитель: IXYS

Описание: Дискретный модуль IXFN90N85X IXYS

Datasheet:

Характеристики

Brand IXYS

Configuration Single

Fall Time 8 ns

Id - Continuous Drain Current 90 A

Manufacturer IXYS

Maximum Operating Temperature + 150 C

Minimum Operating Temperature - 55 C

Mounting Style Chassis Mount

Package/Case SOT-227-4

Pd - Power Dissipation 1.2 kW

Product Category Discrete Semiconductor Modules

Rds On - Drain-Source Resistance 41 mOhms

Rise Time 20 ns

RoHS Details

Series X-Class

Technology Si

Transistor Polarity N-Channel

Typical Turn-Off Delay Time 126 ns

Typical Turn-On Delay Time 50 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 850 V

Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3.5 V

Описание