Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Дискретный модуль IXFN94N50P2 IXYS

Дискретный модуль IXFN94N50P2 IXYS
Дискретный модуль IXFN94N50P2 IXYS
Артикул: IXFN94N50P2
Производитель: IXYS
Описание: Дискретный модуль IXFN94N50P2 IXYS
Datasheet:
Характеристики
Brand IXYS
Configuration Single
Fall Time 11 ns
Id - Continuous Drain Current 68 A
Manufacturer IXYS
Maximum Operating Temperature + 150 C
Minimum Operating Temperature - 55 C
Mounting Style Screw Mount
Package/Case SOT-227B-4
Pd - Power Dissipation 780 W
Product Power MOSFET Modules
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 55 mOhms
Rise Time 34 ns
RoHS Details
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Type MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 67 ns
Typical Turn-On Delay Time 15 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 500 V
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
Описание

Дискретный модуль IXFN94N50P2 IXYS

В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXFN94N50P2 IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXFN94N50P2 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Brand IXYS
Configuration Single
Fall Time 11 ns
Id - Continuous Drain Current 68 A
Manufacturer IXYS
Maximum Operating Temperature + 150 C
Minimum Operating Temperature - 55 C
Mounting Style Screw Mount
Package/Case SOT-227B-4
Pd - Power Dissipation 780 W
Product Power MOSFET Modules
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 55 mOhms
Rise Time 34 ns
RoHS Details
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Type MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 67 ns
Typical Turn-On Delay Time 15 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 500 V
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
Описание

Дискретный модуль IXFN94N50P2 IXYS

В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXFN94N50P2 IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXFN94N50P2 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet