Главная
            
        
        
        
            
                Каталог
            
        
        
                                    
                    
                        Полупроводниковые приборы
                    
                
                
                            
                    
                        Дискретные полупроводниковые приборы
                    
                
                
                            
                    
                        Дискретные модули и модули питания
                    
                
                
                            
                    
                        Диодные модули
                    
                
                
                            Дискретный модуль IXFN94N50P2 IXYS
            
    Дискретный модуль IXFN94N50P2 IXYS
        Дискретный модуль IXFN94N50P2 IXYS
        
            
                
                    
                    
                        
                        
                    
                
                
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                    
                                                
                    
                                            
                    
                                        
                        Скачать datasheet
                        
                    
                    
                
            
            
                
                    
                    
                        
                        
                        
                    
                
            
            
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                
                                                    
                
                                    
                
                                    
                        Скачать datasheet
                        
                    
                
            
        
    
Характеристики
                    
                            Brand
                            
                            IXYS
                        
                                                
                            Configuration
                            
                            Single
                        
                                                
                            Fall Time
                            
                            11 ns
                        
                                                
                            Id - Continuous Drain Current
                            
                            68 A
                        
                                                
                            Manufacturer
                            
                            IXYS
                        
                                                
                            Maximum Operating Temperature
                            
                            + 150 C
                        
                                                
                            Minimum Operating Temperature
                            
                            - 55 C
                        
                                                
                            Mounting Style
                            
                            Screw Mount
                        
                                                
                            Package/Case
                            
                            SOT-227B-4
                        
                                                
                            Pd - Power Dissipation
                            
                            780 W
                        
                                                
                            Product
                            
                            Power MOSFET Modules
                        
                                                
                            Product Category
                            
                            Discrete Semiconductor Modules
                        
                                                
                            Rds On - Drain-Source Resistance
                            
                            55 mOhms
                        
                                                
                            Rise Time
                            
                            34 ns
                        
                                                
                            RoHS
                            
                            Details
                        
                                                
                            Technology
                            
                            Si
                        
                                                
                            Transistor Polarity
                            
                            N-Channel
                        
                                                
                            Type
                            
                            MOSFET
                        
                                                
                            Typical Turn-Off Delay Time
                            
                            67 ns
                        
                                                
                            Typical Turn-On Delay Time
                            
                            15 ns
                        
                                                
                            Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
                            
                            500 V
                        
                                                
                            Vgs - Gate-Source Voltage
                            
                            30 V
                        
                                                
                            Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
                            
                            3 V
                        
                                            Описание
                        Дискретный модуль IXFN94N50P2 IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXFN94N50P2 IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXFN94N50P2 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
                    
                                Brand
                                
                                IXYS
                            
                                                    
                                Configuration
                                
                                Single
                            
                                                    
                                Fall Time
                                
                                11 ns
                            
                                                    
                                Id - Continuous Drain Current
                                
                                68 A
                            
                                                    
                                Manufacturer
                                
                                IXYS
                            
                                                    
                                Maximum Operating Temperature
                                
                                + 150 C
                            
                                                    
                                Minimum Operating Temperature
                                
                                - 55 C
                            
                                                    
                                Mounting Style
                                
                                Screw Mount
                            
                                                    
                                Package/Case
                                
                                SOT-227B-4
                            
                                                    
                                Pd - Power Dissipation
                                
                                780 W
                            
                                                    
                                Product
                                
                                Power MOSFET Modules
                            
                                                    
                                Product Category
                                
                                Discrete Semiconductor Modules
                            
                                                    
                                Rds On - Drain-Source Resistance
                                
                                55 mOhms
                            
                                                    
                                Rise Time
                                
                                34 ns
                            
                                                    
                                RoHS
                                
                                Details
                            
                                                    
                                Technology
                                
                                Si
                            
                                                    
                                Transistor Polarity
                                
                                N-Channel
                            
                                                    
                                Type
                                
                                MOSFET
                            
                                                    
                                Typical Turn-Off Delay Time
                                
                                67 ns
                            
                                                    
                                Typical Turn-On Delay Time
                                
                                15 ns
                            
                                                    
                                Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
                                
                                500 V
                            
                                                    
                                Vgs - Gate-Source Voltage
                                
                                30 V
                            
                                                    
                                Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
                                
                                3 V
                            
                                            Описание
                    Дискретный модуль IXFN94N50P2 IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXFN94N50P2 IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXFN94N50P2 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

