Главная Каталог Полупроводниковые приборы Дискретные полупроводниковые приборы Дискретные модули и модули питания Диодные модули Дискретный модуль IXKN75N60C IXYS

Дискретный модуль IXKN75N60C IXYS

Артикул:

IXKN75N60C

Производитель: IXYS

Описание: Дискретный модуль IXKN75N60C IXYS

Datasheet:

Характеристики

Brand IXYS

Configuration Single

Fall Time 10 ns

Id - Continuous Drain Current 75 A

Manufacturer IXYS

Maximum Operating Temperature + 150 C

Minimum Operating Temperature - 55 C

Mounting Style Chassis Mount

Package/Case SOT-227-4

Product Category Discrete Semiconductor Modules

Rds On - Drain-Source Resistance 30 mOhms

Rise Time 30 ns

RoHS Details

Series IXKN75N60

Technology Si

Transistor Polarity N-Channel

Type CoolMOS Power MOSFET

Typical Turn-Off Delay Time 110 ns

Typical Turn-On Delay Time 20 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 600 V

Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3.9 V

Описание