Главная Каталог Полупроводниковые приборы Дискретные полупроводниковые приборы Дискретные модули и модули питания Диодные модули Дискретный модуль IXTN17N120L IXYS

Дискретный модуль IXTN17N120L IXYS

Артикул:

IXTN17N120L

Производитель: IXYS

Описание: Дискретный модуль IXTN17N120L IXYS

Datasheet:

Характеристики

Brand IXYS

Configuration Single

Fall Time 83 ns

Id - Continuous Drain Current 15 A

Manufacturer IXYS

Maximum Operating Temperature + 150 C

Minimum Operating Temperature - 55 C

Mounting Style Chassis Mount

Package/Case SOT-227-4

Pd - Power Dissipation 540 W

Product Category Discrete Semiconductor Modules

Rds On - Drain-Source Resistance 900 mOhms

Rise Time 31 ns

RoHS Details

Series IXTN17N120

Technology Si

Transistor Polarity N-Channel

Type Linear Power MOSFET

Typical Turn-Off Delay Time 110 ns

Typical Turn-On Delay Time 42 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1.2 kV

Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 6 V

Описание