Главная Каталог Полупроводниковые приборы Дискретные полупроводниковые приборы Дискретные модули и модули питания Диодные модули Дискретный модуль IXTN30N100L IXYS

Дискретный модуль IXTN30N100L IXYS

Артикул:

IXTN30N100L

Производитель: IXYS

Описание: Дискретный модуль IXTN30N100L IXYS

Datasheet:

Характеристики

Brand IXYS

Configuration Single

Fall Time 78 ns

Id - Continuous Drain Current 30 A

Manufacturer IXYS

Maximum Operating Temperature + 150 C

Minimum Operating Temperature - 55 C

Mounting Style Chassis Mount

Package/Case SOT-227-4

Pd - Power Dissipation 800 W

Product Category Discrete Semiconductor Modules

Rds On - Drain-Source Resistance 450 mOhms

Rise Time 70 ns

RoHS Details

Series IXTN30N100

Technology Si

Transistor Polarity N-Channel

Typical Turn-Off Delay Time 100 ns

Typical Turn-On Delay Time 36 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1 kV

Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V

Описание