Главная Каталог Полупроводниковые приборы Дискретные полупроводниковые приборы Дискретные модули и модули питания Диодные модули Дискретный модуль IXTN60N50L2 IXYS

Дискретный модуль IXTN60N50L2 IXYS

Артикул:

IXTN60N50L2

Производитель: IXYS

Описание: Дискретный модуль IXTN60N50L2 IXYS

Datasheet:

Характеристики

Brand IXYS

Configuration Single

Fall Time 38 ns

Id - Continuous Drain Current 53 A

Manufacturer IXYS

Maximum Operating Temperature + 150 C

Minimum Operating Temperature - 55 C

Mounting Style Chassis Mount

Package/Case SOT-227-4

Pd - Power Dissipation 735 W

Product Category Discrete Semiconductor Modules

Rds On - Drain-Source Resistance 100 mOhms

Rise Time 40 ns

RoHS Details

Series IXTN60N50

Technology Si

Transistor Polarity N-Channel

Type Linear Power MOSFET

Typical Turn-Off Delay Time 165 ns

Typical Turn-On Delay Time 40 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 500 V

Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.5 V

Описание