Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Дискретный модуль IXTP48N20TM IXYS

Дискретный модуль IXTP48N20TM IXYS
Дискретный модуль IXTP48N20TM IXYS
Артикул: IXTP48N20TM
Производитель: IXYS
Описание: Дискретный модуль IXTP48N20TM IXYS
Datasheet:
Характеристики
Brand IXYS
Configuration Single
Fall Time 28 ns
Id - Continuous Drain Current 48 A
Manufacturer IXYS
Maximum Operating Temperature + 175 C
Minimum Operating Temperature - 55 C
Mounting Style Through Hole
Package/Case TO-220AB-3
Pd - Power Dissipation 250 W
Product Power MOSFET Modules
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 50 mOhms
Rise Time 26 ns
RoHS Details
Transistor Polarity N-Channel
Type Trench
Typical Turn-Off Delay Time 46 ns
Typical Turn-On Delay Time 20 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 200 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.5 V
Описание

Дискретный модуль IXTP48N20TM IXYS

В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXTP48N20TM IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXTP48N20TM , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Brand IXYS
Configuration Single
Fall Time 28 ns
Id - Continuous Drain Current 48 A
Manufacturer IXYS
Maximum Operating Temperature + 175 C
Minimum Operating Temperature - 55 C
Mounting Style Through Hole
Package/Case TO-220AB-3
Pd - Power Dissipation 250 W
Product Power MOSFET Modules
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 50 mOhms
Rise Time 26 ns
RoHS Details
Transistor Polarity N-Channel
Type Trench
Typical Turn-Off Delay Time 46 ns
Typical Turn-On Delay Time 20 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 200 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.5 V
Описание

Дискретный модуль IXTP48N20TM IXYS

В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXTP48N20TM IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXTP48N20TM , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet