Главная Каталог Полупроводниковые приборы Дискретные полупроводниковые приборы Дискретные модули и модули питания Диодные модули Дискретный модуль IXTP76N25TM IXYS

Дискретный модуль IXTP76N25TM IXYS

Артикул: IXTP76N25TM

Производитель: IXYS

Описание: Дискретный модуль IXTP76N25TM IXYS

Datasheet:

Характеристики

Brand IXYS

Configuration Single

Fall Time 29 ns

Id - Continuous Drain Current 76 A

Manufacturer IXYS

Maximum Operating Temperature + 150 C

Minimum Operating Temperature - 55 C

Mounting Style Through Hole

Package/Case TO-220AB-3

Pd - Power Dissipation 460 W

Product Power MOSFET Modules

Product Category Discrete Semiconductor Modules

Rds On - Drain-Source Resistance 44 mOhms

Rise Time 25 ns

RoHS Details

Transistor Polarity N-Channel

Type Trench

Typical Turn-Off Delay Time 56 ns

Typical Turn-On Delay Time 22 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 250 V

Vgs - Gate-Source Voltage 20 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V

Описание