Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Дискретный модуль IXTT6N120-TRL IXYS

Дискретный модуль IXTT6N120-TRL IXYS
Дискретный модуль IXTT6N120-TRL IXYS
Артикул:
Производитель: IXYS
Описание: Дискретный модуль IXTT6N120-TRL IXYS
Datasheet:
Характеристики
Brand IXYS
Configuration Single
Fall Time 18 ns
Id - Continuous Drain Current 6 A
Manufacturer IXYS
Maximum Operating Temperature + 150 C
Minimum Operating Temperature - 55 C
Mounting Style SMD/SMT
Package/Case TO-268-3
Pd - Power Dissipation 300 W
Product Power MOSFET Modules
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 2.6 Ohms
Rise Time 33 ns
RoHS Details
Transistor Polarity N-Channel
Type High Voltage
Typical Turn-Off Delay Time 42 ns
Typical Turn-On Delay Time 28 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1200 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.5 V
Описание

Дискретный модуль IXTT6N120-TRL IXYS

В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXTT6N120-TRL IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXTT6N120-TRL , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Brand IXYS
Configuration Single
Fall Time 18 ns
Id - Continuous Drain Current 6 A
Manufacturer IXYS
Maximum Operating Temperature + 150 C
Minimum Operating Temperature - 55 C
Mounting Style SMD/SMT
Package/Case TO-268-3
Pd - Power Dissipation 300 W
Product Power MOSFET Modules
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 2.6 Ohms
Rise Time 33 ns
RoHS Details
Transistor Polarity N-Channel
Type High Voltage
Typical Turn-Off Delay Time 42 ns
Typical Turn-On Delay Time 28 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1200 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.5 V
Описание

Дискретный модуль IXTT6N120-TRL IXYS

В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXTT6N120-TRL IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXTT6N120-TRL , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet