Главная Каталог Полупроводниковые приборы Дискретные полупроводниковые приборы Дискретные модули и модули питания Диодные модули Дискретный модуль IXTY08N100D2-TRL IXYS

Дискретный модуль IXTY08N100D2-TRL IXYS

Артикул:

IXTY08N100D2-TRL

Производитель: IXYS

Описание: Дискретный модуль IXTY08N100D2-TRL IXYS

Datasheet:

Характеристики

Brand IXYS

Configuration Single

Fall Time 48 ns

Id - Continuous Drain Current 800 mA

Manufacturer IXYS

Maximum Operating Temperature + 150 C

Minimum Operating Temperature - 55 C

Mounting Style SMD/SMT

Package/Case TO-252-3

Pd - Power Dissipation 60 W

Product Power MOSFET Modules

Product Category Discrete Semiconductor Modules

Rds On - Drain-Source Resistance 21 Ohms

Rise Time 57 ns

RoHS Details

Transistor Polarity N-Channel

Type Depletion Mode

Typical Turn-Off Delay Time 34 ns

Typical Turn-On Delay Time 28 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1000 V

Vgs - Gate-Source Voltage 20 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage - 4 V

Описание