Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Дискретные полупроводниковые приборы
Дискретные модули и модули питания
Диодные модули
Дискретный модуль MBR200200CT GeneSiC Semiconductor
Дискретный модуль MBR200200CT GeneSiC Semiconductor
Дискретный модуль MBR200200CT GeneSiC Semiconductor
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Артикул:
MBR200200CT
Производитель:
GeneSiC Semiconductor
Описание:
Дискретный модуль MBR200200CT GeneSiC Semiconductor
Характеристики
Brand
GeneSiC Semiconductor
Manufacturer
GeneSiC Semiconductor
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Package/Case
Twin Tower
Product
Schottky Rectifier Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
RoHS
Details
Technology
Si
Type
Schottky Rectifier Module
Vr - Reverse Voltage
200 V
Описание
Дискретный модуль MBR200200CT GeneSiC Semiconductor
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MBR200200CT GeneSiC Semiconductor . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MBR200200CT , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Brand
GeneSiC Semiconductor
Manufacturer
GeneSiC Semiconductor
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Package/Case
Twin Tower
Product
Schottky Rectifier Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
RoHS
Details
Technology
Si
Type
Schottky Rectifier Module
Vr - Reverse Voltage
200 V
Описание
Дискретный модуль MBR200200CT GeneSiC Semiconductor
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MBR200200CT GeneSiC Semiconductor . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MBR200200CT , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.