Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Дискретные полупроводниковые приборы
Дискретные модули и модули питания
Диодные модули
Дискретный модуль MCB60I1200TZ-TUB IXYS
Дискретный модуль MCB60I1200TZ-TUB IXYS
Дискретный модуль MCB60I1200TZ-TUB IXYS
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Brand
IXYS
Configuration
Single
Id - Continuous Drain Current
90 A
Manufacturer
IXYS
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
SMD/SMT
Package/Case
TO-268AA-3
Product
Power MOSFET Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
34 mOhms
RoHS
Details
Technology
SiC
Transistor Polarity
N-Channel
Type
Single MOSFET
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1200 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2 V
Описание
Дискретный модуль MCB60I1200TZ-TUB IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MCB60I1200TZ-TUB IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MCB60I1200TZ-TUB , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Brand
IXYS
Configuration
Single
Id - Continuous Drain Current
90 A
Manufacturer
IXYS
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
SMD/SMT
Package/Case
TO-268AA-3
Product
Power MOSFET Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
34 mOhms
RoHS
Details
Technology
SiC
Transistor Polarity
N-Channel
Type
Single MOSFET
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1200 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2 V
Описание
Дискретный модуль MCB60I1200TZ-TUB IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MCB60I1200TZ-TUB IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MCB60I1200TZ-TUB , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.