Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Дискретные полупроводниковые приборы
Дискретные модули и модули питания
Диодные модули
Дискретный модуль MDNA280UB2200PTED IXYS
Дискретный модуль MDNA280UB2200PTED IXYS
Дискретный модуль MDNA280UB2200PTED IXYS
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Артикул:
Производитель:
IXYS
Описание:
Дискретный модуль MDNA280UB2200PTED IXYS
Характеристики
Brand
IXYS
Configuration
Triple
Fall Time
400 ns
Manufacturer
IXYS
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw Mount
Package/Case
E2-Pack
Pd - Power Dissipation
355 W
Product
Power Semiconductor Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rise Time
50 ns
RoHS
Details
Transistor Polarity
N-Channel
Type
Rectifier Bridge
Typical Turn-Off Delay Time
550 ns
Typical Turn-On Delay Time
320 ns
Vf - Forward Voltage
1.23 V
Описание
Дискретный модуль MDNA280UB2200PTED IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MDNA280UB2200PTED IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MDNA280UB2200PTED , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Brand
IXYS
Configuration
Triple
Fall Time
400 ns
Manufacturer
IXYS
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw Mount
Package/Case
E2-Pack
Pd - Power Dissipation
355 W
Product
Power Semiconductor Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rise Time
50 ns
RoHS
Details
Transistor Polarity
N-Channel
Type
Rectifier Bridge
Typical Turn-Off Delay Time
550 ns
Typical Turn-On Delay Time
320 ns
Vf - Forward Voltage
1.23 V
Описание
Дискретный модуль MDNA280UB2200PTED IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MDNA280UB2200PTED IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MDNA280UB2200PTED , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.