Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Дискретные полупроводниковые приборы
Дискретные модули и модули питания
Диодные модули
Дискретный модуль MDNA280UB2200PTED IXYS
Дискретный модуль MDNA280UB2200PTED IXYS
Дискретный модуль MDNA280UB2200PTED IXYS
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Brand
IXYS
Configuration
Triple
Fall Time
400 ns
Manufacturer
IXYS
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw Mount
Package/Case
E2-Pack
Pd - Power Dissipation
355 W
Product
Power Semiconductor Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rise Time
50 ns
RoHS
Details
Transistor Polarity
N-Channel
Type
Rectifier Bridge
Typical Turn-Off Delay Time
550 ns
Typical Turn-On Delay Time
320 ns
Vf - Forward Voltage
1.23 V
Описание
Дискретный модуль MDNA280UB2200PTED IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MDNA280UB2200PTED IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MDNA280UB2200PTED , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Brand
IXYS
Configuration
Triple
Fall Time
400 ns
Manufacturer
IXYS
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw Mount
Package/Case
E2-Pack
Pd - Power Dissipation
355 W
Product
Power Semiconductor Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rise Time
50 ns
RoHS
Details
Transistor Polarity
N-Channel
Type
Rectifier Bridge
Typical Turn-Off Delay Time
550 ns
Typical Turn-On Delay Time
320 ns
Vf - Forward Voltage
1.23 V
Описание
Дискретный модуль MDNA280UB2200PTED IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MDNA280UB2200PTED IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MDNA280UB2200PTED , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.