Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Дискретный модуль MMIX1T660N04T4 IXYS

Дискретный модуль MMIX1T660N04T4 IXYS
Дискретный модуль MMIX1T660N04T4 IXYS
Артикул: MMIX1T660N04T4
Производитель: IXYS
Описание: Дискретный модуль MMIX1T660N04T4 IXYS
Datasheet:
Характеристики
Brand IXYS
Configuration Single
Fall Time 260 ns
Id - Continuous Drain Current 660 A
Manufacturer IXYS
Maximum Operating Temperature + 175 C
Minimum Operating Temperature - 55 C
Mounting Style SMD/SMT
Pd - Power Dissipation 830 W
Product Power MOSFET Modules
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 850 uOhms
Rise Time 430 ns
RoHS Details
Series HiPerFET
Transistor Polarity N-Channel
Type Trench T4
Typical Turn-Off Delay Time 386 ns
Typical Turn-On Delay Time 40 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 40 V
Vgs - Gate-Source Voltage 15 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V
Описание

Дискретный модуль MMIX1T660N04T4 IXYS

В каталоге Components.by представлен электронный компонент MMIX1T660N04T4 IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MMIX1T660N04T4 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Brand IXYS
Configuration Single
Fall Time 260 ns
Id - Continuous Drain Current 660 A
Manufacturer IXYS
Maximum Operating Temperature + 175 C
Minimum Operating Temperature - 55 C
Mounting Style SMD/SMT
Pd - Power Dissipation 830 W
Product Power MOSFET Modules
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 850 uOhms
Rise Time 430 ns
RoHS Details
Series HiPerFET
Transistor Polarity N-Channel
Type Trench T4
Typical Turn-Off Delay Time 386 ns
Typical Turn-On Delay Time 40 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 40 V
Vgs - Gate-Source Voltage 15 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V
Описание

Дискретный модуль MMIX1T660N04T4 IXYS

В каталоге Components.by представлен электронный компонент MMIX1T660N04T4 IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MMIX1T660N04T4 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet