Главная Каталог Полупроводниковые приборы Дискретные полупроводниковые приборы Дискретные модули и модули питания Диодные модули Дискретный модуль MSCSM120AM02CT6LIAG Microchip / Microsemi

Дискретный модуль MSCSM120AM02CT6LIAG Microchip / Microsemi

Артикул: MSCSM120AM02CT6LIAG

Производитель: Microchip / Microsemi

Описание: Дискретный модуль MSCSM120AM02CT6LIAG Microchip / Microsemi

Datasheet:

Характеристики

Brand Microchip / Microsemi

Configuration Dual

Fall Time 67 ns

Id - Continuous Drain Current 947 A

Manufacturer Microchip

Maximum Operating Temperature + 125 C

Minimum Operating Temperature - 40 C

Mounting Style SMD/SMT

Package/Case SP6

Pd - Power Dissipation 3.75 kW

Product Power MOSFET Modules

Product Category Discrete Semiconductor Modules

Rds On - Drain-Source Resistance 2.6 mOhms

Rise Time 55 ns

RoHS Details

Technology SiC

Transistor Polarity N-Channel

Type Phase Leg SiC

Typical Turn-Off Delay Time 166 ns

Typical Turn-On Delay Time 56 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1200 V

Vf - Forward Voltage 1.5 V

Vgs - Gate-Source Voltage - 10 V, 25 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.8 V

Vr - Reverse Voltage 1200 V

Описание