Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Дискретные полупроводниковые приборы
Дискретные модули и модули питания
Диодные модули
Дискретный модуль MSCSM120AM16CT1AG Microchip Technology
Дискретный модуль MSCSM120AM16CT1AG Microchip Technology
Дискретный модуль MSCSM120AM16CT1AG Microchip Technology
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Артикул:
MSCSM120AM16CT1AG
Производитель:
Microchip Technology
Описание:
Дискретный модуль MSCSM120AM16CT1AG Microchip Technology
Характеристики
Brand
Microchip Technology
Fall Time
25 ns
Id - Continuous Drain Current
173 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw Mount
Package/Case
SP1F
Pd - Power Dissipation
745 W
Product
Power MOSFET Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
16 mOhms
Rise Time
30 ns
RoHS
Details
Technology
SiC
Transistor Polarity
N-Channel
Type
Phase Leg
Typical Turn-Off Delay Time
50 ns
Typical Turn-On Delay Time
30 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1200 V
Vf - Forward Voltage
1.5 V at 60 A
Vgs - Gate-Source Voltage
- 10 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1.8 V
Vr - Reverse Voltage
1200 V
Описание
Дискретный модуль MSCSM120AM16CT1AG Microchip Technology
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MSCSM120AM16CT1AG Microchip Technology . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MSCSM120AM16CT1AG , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Brand
Microchip Technology
Fall Time
25 ns
Id - Continuous Drain Current
173 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw Mount
Package/Case
SP1F
Pd - Power Dissipation
745 W
Product
Power MOSFET Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
16 mOhms
Rise Time
30 ns
RoHS
Details
Technology
SiC
Transistor Polarity
N-Channel
Type
Phase Leg
Typical Turn-Off Delay Time
50 ns
Typical Turn-On Delay Time
30 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1200 V
Vf - Forward Voltage
1.5 V at 60 A
Vgs - Gate-Source Voltage
- 10 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1.8 V
Vr - Reverse Voltage
1200 V
Описание
Дискретный модуль MSCSM120AM16CT1AG Microchip Technology
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MSCSM120AM16CT1AG Microchip Technology . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MSCSM120AM16CT1AG , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

