Главная Каталог Полупроводниковые приборы Дискретные полупроводниковые приборы Дискретные модули и модули питания Диодные модули Дискретный модуль MSCSM120TAM31CT3AG Microchip / Microsemi

Дискретный модуль MSCSM120TAM31CT3AG Microchip / Microsemi

Артикул: MSCSM120TAM31CT3AG

Производитель: Microchip / Microsemi

Описание: Дискретный модуль MSCSM120TAM31CT3AG Microchip / Microsemi

Datasheet:

Характеристики

Brand Microchip / Microsemi

Fall Time 25 ns

Id - Continuous Drain Current 89 A

Manufacturer Microchip

Maximum Operating Temperature + 125 C

Minimum Operating Temperature - 40 C

Mounting Style Screw Mount

Package/Case SP3F

Pd - Power Dissipation 395 W

Product Power MOSFET Modules

Product Category Discrete Semiconductor Modules

Rds On - Drain-Source Resistance 31 mOhms

Rise Time 30 ns

RoHS Details

Technology SiC

Transistor Polarity N-Channel

Type 3 Phase Bridge

Typical Turn-Off Delay Time 50 ns

Typical Turn-On Delay Time 30 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1200 V

Vf - Forward Voltage 1.5 V at 30 A

Vgs - Gate-Source Voltage - 10 V, 25 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.8 V

Vr - Reverse Voltage 1200 V

Описание