Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Дискретный модуль MSCSM70TAM05TPAG Microchip / Microsemi

Дискретный модуль MSCSM70TAM05TPAG Microchip / Microsemi
Дискретный модуль MSCSM70TAM05TPAG Microchip / Microsemi
Артикул: MSCSM70TAM05TPAG
Производитель: Microchip / Microsemi
Описание: Дискретный модуль MSCSM70TAM05TPAG Microchip / Microsemi
Datasheet:
Характеристики
Brand Microchip / Microsemi
Fall Time 20 ns
Id - Continuous Drain Current 349 A
Manufacturer Microchip
Maximum Operating Temperature + 125 C
Minimum Operating Temperature - 40 C
Mounting Style Screw Mount
Package/Case SP6P
Pd - Power Dissipation 966 W
Product Power MOSFET Modules
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 6.4 mOhms
Rise Time 35 ns
RoHS Details
Technology SiC
Transistor Polarity N-Channel
Type Phase Leg
Typical Turn-Off Delay Time 50 ns
Typical Turn-On Delay Time 40 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 700 V
Vgs - Gate-Source Voltage - 10 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.9 V
Описание

Дискретный модуль MSCSM70TAM05TPAG Microchip / Microsemi

В каталоге Components.by представлен электронный компонент MSCSM70TAM05TPAG Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MSCSM70TAM05TPAG , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Brand Microchip / Microsemi
Fall Time 20 ns
Id - Continuous Drain Current 349 A
Manufacturer Microchip
Maximum Operating Temperature + 125 C
Minimum Operating Temperature - 40 C
Mounting Style Screw Mount
Package/Case SP6P
Pd - Power Dissipation 966 W
Product Power MOSFET Modules
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 6.4 mOhms
Rise Time 35 ns
RoHS Details
Technology SiC
Transistor Polarity N-Channel
Type Phase Leg
Typical Turn-Off Delay Time 50 ns
Typical Turn-On Delay Time 40 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 700 V
Vgs - Gate-Source Voltage - 10 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.9 V
Описание

Дискретный модуль MSCSM70TAM05TPAG Microchip / Microsemi

В каталоге Components.by представлен электронный компонент MSCSM70TAM05TPAG Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MSCSM70TAM05TPAG , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet